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作者简介李美成，日本男，二级教授、博导。文献链接：国运https://rdcu.be/bj4EZ本文由华北电力大学李美成教授团队供稿，材料人编辑部编辑。

2016年获北京市科学技术奖，还开2017年入选北京市百名科技领军人才，2018年入选国家创新人才推进计划科技创新领军人才。近年来，不开在太阳电池及锂离子电池领域开展了广泛深入的研究，不开在Energ.Environ. Sci., Adv. Mater., Adv. Funct. Mater., ACSNano, NanoEnergy,Adv. Sci.等国际知名期刊共发表论文200余篇。赌上的奥2006年入选教育部新世纪优秀人才。

进一步将FA0.15MA0.85PbI3同质结应用于平面型钙钛矿电池中，日本获得了21.38%的光电转换效率。欢迎大家到材料人宣传科技成果并对文献进行深入解读，国运投稿邮箱:[email protected].投稿以及内容合作可加编辑微信：cailiaorenVIP.。

还开相关研究结果发表在Nature Energy, DOI:10.1038/s41560-018-0324-8 (https://rdcu.be/bj4EZ)。

华北电力大学新能源材料与器件实验室依托新能源电力系统国家重点实验室和清洁能源学北京市重点学科，不开研究与开发新型太阳电池等能量转换器件、不开锂/钠离子电池等能量存储器件，以及光纤传感器等未来能源互联网和综合能源系统所需新型电力、信息元器件等传感器件赌上的奥c-f.贯穿型位错InN膜TEM截面图。

日本图3.热传导性质随位错密度变化关系。国运但是这两种模型都无法普适的定量描述已有的实验结果。

【成果简介】位错是一种III–V族半导体中十分常见的一维缺陷，还开严重影响器件的传热性能，例如氮化镓高功率电子器件。不开a.高定向贯穿性位错InN示意图。